收藏本站
Si4770/77-A20
Table 2. DC Characteristics (Continued)
(T AMB = –40 to 85 °C, V A = 4.5 to 5.5 V, V D = 2.7 to 3.6 V, V IO1 = 1.7 to 3.6 V, V IO2 = 1.2 to 3.6 V)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Interface Supplies
V IO1 Supply Current
V IO2 Supply Current
V IO1 Supply Power Down
Current*
V IO2 Supply Power Down
Current*
I VIO1
I VIO2
I PD
I PD
0.1
0.1
150
5
0.5
0.2
250
20
0.82
0.5
420
150
mA
mA
μA
μA
Inputs Pins SCL, SDA, RSTB, A0, A1
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
V IH
V IL
0.7 x V IO1
—
—
—
—
0.3xV IO1
V
V
High Level Input Current
Low Level Input Current
I IH
I IL
V IN = V I01 = 3.6 V
V IN = 0 = V,
V I01 = 3.6 V
–10
–10
—
—
10
10
μA
μA
Input Pins DCLK, DFS
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
V IH
V IL
0.7 x V IO2
—
—
—
—
0.3 x V IO2
V
V
High Level Input Current
Low Level Input Current
I IH
I IL
V IN = V I02 = 3.6 V
V IN = 0 V,
V I02 = 3.6 V
–10
–10
—
—
10
10
μA
μA
Input Pins GPIO1, GPIO2
GPIO1 and GPIO2
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
High Level Input Current
Low Level Input Current
V IH
V IL
I IH
I IL
are internally regu-
lated at 3.6 V
V IN = 3.6 V
V IN = 0 V
2.52
—
–10
–10
—
—
—
—
—
1.08
10
10
V
V
μ A
μ A
Output Pins INTB
Output is common
High Level Output Voltage
V OH
drain output with
internal 10 k ? pull-
0.8xV IO1
—
—
V
up to V IO1
Low Level Output Voltage
V OL
I OUT = –500 μ A
—
—
0.2xV IO1
V
*Note: See "7. I2C Control Bus" on page 44.
Rev. 0.9
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4804CDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
SI4808DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4812BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4814BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4816DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4818DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4834BDY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
Si4777-A20-GMR 功能描述:射频接收器 Hi-Performance CE AM/FM Rcvr/HD-Tuner RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:GPS Receiver 封装 / 箱体:QFN-24 工作频率:4.092 MHz 工作电源电压:3.3 V 封装:Reel
SI4778DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SI4778DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4778DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4779CY 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 30V RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI4779CY-E3 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 30V RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI4779CY-T1-E3 功能描述:电源开关 IC - 配电 Hi-Side N-Channel RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI477x 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Si477X EVALUATION BOARD USERa??S GUIDE